Investigadors de l’Institut de Ciència de Materials de Barcelona, del Consell Superior d’Investigacions Científiques (M. Gich i. Gazquez), han aconseguit fabricar capes primes de quars que creixen epitaxialment sobre silici. Aquests dos materials són constituents essencials de qualsevol aparell electrònic.
Mentre el silici és el material en el qual es fan els xips, els cristalls de quars s’utilitzen, per la seva piezoelectricitat, són l’element actiu dels oscil·ladors elèctrics que actuen de base de temps (el tic-tac intern) dels dispositius. Tanmateix, si bé la miniaturització sobre silici mitjançant tècniques litogràfiques ha permès seguir la coneguda Llei de Moore i assolir sense problemes dimensions nanomètriques, en el cas del quars els cristalls ressonadors més prims que existeixen tenen gruixos d’algunes desenes de microns. De fet el quars dels oscil·ladors s’obté a partir de grans cristalls sintètics fabricats amb el mètode hidrotermal i que després son tallats i polits en un procés llarg i poc eficient. Aquesta tecnologia de fabricació de tipus descendent (top-down) no permet continuar disminuint el gruix dels cristalls, cosa que seria desitjable per tal de poder-ne augmentar la freqüència de ressonància. El treball dels investigadors catalans, en col·laboració amb un equip del Laboratori de Química de la Matèria Condensada de París, ha adoptat una aproximació ascendent (bottom-up) que obre la porta la possibilitat de desenvolupar una nova generació d’oscil·ladors d’alta freqüència. D’altra banda la integració directa de quars sobre silici té molt d’interès en el camp dels dispositius electromecànics que utilitzen el silici com a material estructural per a la micro i nano-fabricació d’estructures i un material piezoelèctric per a activar-ne el moviment.